Тема: g-ФАКТОРЫ ЭЛЕКТРОНА И ДЫРКИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУРАХ.

Лектор: Ивченко Еугениюс Левович, ФТИ им. А. Ф. Иоффе.

В докладе будет дан обзор экспериментальных и теоретических исследований эффекта Зеемана в полупроводниковых материалах. Фактор Ландé, или g-фактор, является важным параметром электронной зонной структуры, который описывает спиновое расщепление электронных и дырочных состояний, а также уровней экситонов Ванье-Мотта во внешнем магнитном поле.

В первой части доклада будут представлены различные методы измерения g-факторов, а именно: 1) электронный парамагнитный резонанс (ЭПР), 2) оптически детектируемый магнитный резонанс (ОДМР), 3) комбинационное (рамановское) рассеяние света с переворотом спина, 4) спектральное разрешение экситонных подуровней, 5) магнитная циркулярная поляризация люминесценции (МЦФЛ), 6) эффект Ханле, 7) квантовые спиновые биения, 8) индуцированное магнитным полем антипересечение экситонных подуровней, 9) измерение спектра спинового шума в магнитном поле.

Вторая часть посвящена теории эффекта Зеемана. Начнём с объемных полупроводников А₃В₅ и А₂В₆ кубической симметрии, где g-фактор электронов хорошо описывается формулой Рот–Лэкса–Цвердлинга и где его значения варьируются от ~2 в широкозонных полупроводниках до –51 в узкозонном соединении InSb. Другим современным примером могут служить кристаллы перовскита галогенида свинца APbX₃ (A – Cs, MA, FA; X – Cl, Br, I). Затем будут рассмотрены структуры с квантовыми ямами, в которых g-фактор электрона становится анизотропным, а продольная и поперечная компоненты сильно зависят от толщины ямы. Теоретическая часть завершается анализом g-факторов в квантовых точках и особенностей эффекта Зеемана на дырках в валентной зоне полупроводника.

Приглашаются сотрудники, аспиранты и студенты всех факультетов!

РЕГИСТРАЦИЯ

Контакты

Руководитель семинара — проф. А.А. Цыганенко, atsyg@yandex.ru

По вопросам организации мероприятия — И.Д. Демидова, i.demidova@spbu.ru